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电流脉冲碳化硅

电流脉冲碳化硅

2023-12-28T02:12:05+00:00

测试SiC开关特性，波形振荡很严重，该怎么办？知乎

2020年4月14日 (本文转载自公众号，分享给大家交流学习) 开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在 GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 知乎

碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE

2020年3月16日近20 多年来,以碳化硅(silicon carbide,SiC)为代表的宽禁带半导体器件,受到了广泛的关注。 SiC 材料具有3 倍于硅材料的禁带宽度,10倍于硅材料的临界击穿电场强 6 天之前碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术前言第7章为共模电流的影响与应对，详细介绍了信号通路共模电流的基本原理和特性以及三种应对措施，包括高CMTI驱动芯片、高共模阻抗和共模电流疏导，此外还介绍碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术知乎

一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势知乎

2024年1月22日碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻 2022年4月27日一、引言以Si为衬底的 Mosfet 管因为其输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，具有靠多数载流子工作导电特性，没有少数载流子导电工作所需要的存储时间，因而开关速度快，工作频率可碳化硅Mosfet管特性及其专用驱动电源知乎

碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 ROHM

2021年1月7日在臻驱看来，碳化硅技术应用于主驱电控的主要系统优势，是在于效率的提升，以及峰值输出功率的增加。前者可以提升续航里程或减少电池安装数量，后者可以给整车带来更大的百公里加速度。臻驱第 2022年12月21日综上所述，碳化硅器件的动态特性应该包含开关特性、串扰特性和反向恢复特性三个部分。刚才我们提到，串扰和反向恢复是与开关过程伴生的，这也就意味着，碳化硅动态特性的三个部分可以采用统一干货分享碳化硅器件动态特性测试技术剖析哔哩哔哩

东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块

2023年8月29日东芝电子元件及存储装置株式会社中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款 [1] 2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模 2023年12月20日碳化硅 MOSFET 通常用于需要在电源的初级侧和次级侧之间进行隔离的高压和大功率应用。在这些系统中，能量通过变压器从一侧转移到另一侧，控制器通常放技术分享碳化硅MOSFET驱动电路详解电子工程专辑

SiC MOSFET 器件特性知识详解；知乎

2023年10月26日对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。因此，在漏极源极电压可以响应之前，漏极电流可能达到较大额定脉冲电流的 1020 倍（在高 RDS 期间）。2022年10月25日摘要由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。对于SiC MOSFET功率模块，研究大电流下的短路保护问题、高开关速度大电流下SiC MOSFET功率模块的驱动器研究知乎

电流脉冲碳化硅 188bet金宝搏下载

2013年1月29日 SiC碳化硅二极管在大功率电源设计中的应用文库下载提供SiC碳化硅二极管在大功率电源设计中的应用文档免费下载，摘要: 在出现高电流脉冲时，如果能使二极管中产生双极电流，能提高其浪涌电流处理图 2代SC i 2022年4月27日三、驱动电路要求 Sic Mosfet具有与Si Mosfet管非常类似的开关特性，通过对Si Mosfet的特性研究，其驱动电路具有相同的特性： 1 对于驱动电路来讲，最重要的参数是门极电荷，Mosfet管的栅极输入端相当于是一个容性网络，因此器件在稳定导通时间或者碳化硅Mosfet管特性及其专用驱动电源知乎

基于雪崩晶体管的纳秒脉冲驱动电路设计知乎

2023年8月7日为了使大电流脉冲的上升沿陡化，可在后级加入阶跃恢复二极管(SRD)。2触发脉冲的获得本文所选用的触发脉冲由振荡电路和脉冲整形电路组成，具体电路如图3所示。由555定时器构成的振荡电路产生频率可调的脉冲序列V1，经74LS123整形后得到触发脉 2023年10月30日 SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车碳化硅（SIC）的长处和难点详解；知乎

基于Geant4及TCAD软件的碳化硅快中子探测器模拟方法

2022年10月12日为了克服上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种基于Geant4及TCAD软件的碳化硅快中子探测器模拟方法，该方法创新性地提出了将Geant4软件和Sentauraus TCAD软件模拟结合，既可以模拟获取粒子产生的电流脉冲又可以优化碳化硅快 2022年4月28日我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。碳化硅mosfet驱动与硅IGBT的区别硅IGBT与碳化硅MOSFET 多个维度来分析碳化硅SIC跟IGBT应用上的区别！知乎

6500V SiC MOSFET 模块测试与分析知乎

2022年9月2日碳化硅(silicon carbide，SiC)材料作为宽禁带半导体材料的的典型代表，其在高温高压高频上的优良特性可使 SiC 动态特性测试的主要方法包括单脉冲法和双脉冲法。单脉冲法主要用于模拟断路器中 MOSFET等器件在 2 倍额定电流关断时的工况，用以 2020年2月28日具体的,本发明提供了一种双脉冲测试平台的碳化硅mosfet建模方法,结合附图的流程图所示,包括以下步骤： s1:搭建双脉冲测试平台； s2:理想状态下碳化硅mosfet开关过程分析，建立理想状态下的状态空间方程。在忽略寄生电感和寄生电阻这些寄生参数的情一种基于双脉冲测试平台的碳化硅MOSFET的建模方法与流程

应用碳化硅器件对电机驱动系统电磁干扰的影响

2017年10月8日碳化硅器件造成的EMI要比硅器件严重。 (a) (b) 图5 开通电流的仿真波形(a)和频谱(b) 分别对碳化硅JFET桥臂模块和硅IGBT桥臂模块进行双脉冲测试，可以得到真实的开通电流波形如图6(a)所示。直流母线电压350V，测试用的负载电感是05mH。实测的开通2022年12月6日太原赛因新材料科技有限公司经过两年的设计和改进，研发出世界上最先进的脉冲闪蒸焦耳热反应器：赛因脉冲电闪蒸反应器。脉冲电闪蒸反应器是赛因新材料公司开发的实现闪蒸焦耳热和快速焦耳热反应装置，可以实现文献中的所有功能，简单高效地制备各种新型纳米材料。自2020年以来，已经有脉冲+闪蒸+焦耳热：这种纳米制备新技术已发表10篇Nature

干货分享关于碳化硅MOSFET驱动电路设计的详细分

2022年2月23日在碳化硅MOSFET上，有一些设计方面需要特殊注意，接下来，我们会进行详细讨论。并联碳化硅MOSFET主要需要注意的问题是如何能够很好的均流，因为只有很好的均流，才能让损耗和热量均衡，不至 2022年8月30日对传统的硅基分立器件（硅IGBT和硅MOSFET），通常是用柔性电流探头（罗氏线圈）去测试集电极电流或漏极电流。但对于开关速度更快的碳化硅MOSFET，在实际测试过程中，由于柔性电流探头测试的电流存在一定的延迟时间，从而导致碳化硅MOSFET的开通关断损耗的测量存在很大的偏差（如图3所示）。SiCer小课堂 TO247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管

对4H碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大

2023年8月7日本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第三级同相比例放大电路以及第四级反相比例放大电路，4H‑碳化硅探测器将中子信号转换为电流脉冲信号，传输至电流脉冲型前2023年1月7日总结：用分立元件设计的驱动电路具有传输延迟低、驱动电流大和开关损耗低等良好的性能。而且相比驱动电路的产品，分立元件的成本比较低，说句好听的话也避免了对一些驱动芯片的依赖，除非你追求体积小、高功率密度。一款栅极驱动器产品编辑于碳化硅MOS管驱动电路的设计（后文基于分立元件）知乎专栏

碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE

2020年3月16日 Cree公司采用双注入MOSFET(double implantation MOSFET,DMOSFET) 的技术路线,结构如图4(a)所示,该公司自2010 年起发布商业化SiC MOSFET。器件通过改进元胞尺寸以及改善SiC/SiO2( 二氧化硅)界面特性的手段,元胞尺寸从发布的代产品的10 m 降低至第三代产品的6 m,比导通电阻也从 13 小时之前 1一种碳化硅场效应管模块的双脉冲测试装置，其特征在于，包括：驱动板，连接在双脉冲信号发生器和待测碳化硅场效应管模块之间，用于接收双脉冲信号发生器发出的脉冲，以驱动所述待测碳化硅场效应管模块中的场效应管通断进行测试；一种碳化硅场效应管模块的双脉冲测试装置pdf原创力文档

碳化硅压箱底系列4：CoolSiC™ MOSFET的抗短路能力知乎

2022年12月28日结果是，在短路开始之后，SiC MOSFET的峰值电流可以达到器件额定电流的10倍左右，而对于IGBT，该值可能仅为额定电流的4倍左右（参见图20）。即使后来电流可以下降到一个可被安全关断的值（参见图20中的虚线），但总体温度仍然会上升。2023年11月30日宽带隙半导体具有承受高脉冲电流的能力，这在固态断路器等应用中尤其有用作者：Qorvo功率器件高级工程经理Pete Losee 宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛。SiC探讨 SiC FET的脉冲电流能力量化新闻通知中关村天

碳化硅器件全面进入电动汽车充电桩知乎

2023年10月29日罗姆公司的碳化硅SBD还具有出色的正向压降，从而可实现更低的功耗、极低的反向电流和对电流脉冲的高耐受性。对于高压转换器来说，采用碳化硅MOSFET和碳化硅SBD的组合，可减少元器件总数并提高整体效率。碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估碳化硅功率 2021年1月6日后者通常的实现方法是一种称为“双脉冲测试”的方法，它需要对于被测器件施加不同的电压、电流、器件温度，甚至不同的门极驱动电阻，以进行全面测试评估。电流脉冲碳化硅

直面驱动四大挑战，让碳化硅如愿以偿知乎

2021年3月24日据UnitedSiC的Bhalla介绍，UnitedSiC的SiC FET由于栅极电流很低，而且不需要米勒钳位，几乎可以使用任何标准硅驱动器、IGBT驱动器或先进的SiC驱动器。事实上，许多用户甚至使用基于脉冲变压器的简单栅极驱动器。6 天之前碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术前言第7章为共模电流的影响与应对，详细介绍了信号通路共模电流的基本原理和特性以及三种应对措施，包括高CMTI驱动芯片、高共模阻抗和共模电流疏导，此外还介绍了差模干扰测量技术。碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术知乎

基于Geant4及TCAD软件的碳化硅快中子探测器模拟方法 X

2023年1月3日基于geant及tcad软件的碳化硅快中子探测器模拟方法技术领域本发明属于中子探测数值模拟技术领域，具体涉及到一种基于geant及tcad软件的碳化硅快中子探测器模拟方法。背景技术碳化硅作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高临界击穿电场、抗辐照等优良特性，其制备工艺相对成熟，被认为是极具 2020年7月30日 SiC碳化硅二极管浪涌电流能力的问题，可以通过外围电路来适当改善，在PFC电路中，当SiCSBD浪涌电流值不够的时候，需要为这个二极管（和电源侧的电感一起）并联硅二极管，降低浪涌电流，对SiC二极管进行保护，虽然略微增加了器件成本，但是提 SiC碳化硅二极管抗浪涌电流能力缺点及应对方式 CSDN博客

SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估知乎

2023年5月21日红色波形是在施加最后一个脉冲获得的失效波形，这时器件不再能够耐受雪崩能量，并且在t *时刻发生失效，漏极电流开始骤然增加。鲁棒性评估和雪崩测试我们用三组1200V SiC MOSFE做了UIS测试，表1列出了这三组器件的主要数据。2020年9月14日一种是高电压脉冲电源，另一种是高电流脉冲电源。高压脉冲电源的一个常见用途是空气污染处理(家庭净化，工厂产生的烟道气体和汽车尾气)。功率电路根据功率水平变化(从家庭应用的100s W到工厂应用的MW)，输入 PFC级是任何系统都需要的。脉冲电源脉冲电源瞻芯电子Inventchip 致力于打造中国领先